Rectifiers，filters and regulators 整流器，滤波器和调节器 Transistor and FET characteristics 场效应晶体管特性 feedback amplifiers 反馈放大器 ..
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近年来对基于MOS技术制造的离子散场效应晶体管（ISFET）的特性研究做了大量的工作。
Recently much work has been done to characterize Ion-Sensitive Field-Effect Transistors(ISFET) based on MOS technology.
根据对碳纳米管场效应晶体管的电学特性的研究，搭建出一套简单的测试系统，对制备的器件进行了初步测试。
A simple test system has been prepared to test the carbon nanotube field effect transistors, base on the electrical properties.
本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法。
In this paper we shall present a non-model method on analyzing the static characteristic of a-Si FET.
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