中国闪存市场 ron的3D Flash技术采用了可由现有CMOS制造技术及材料制造的薄膜电晶体(TFT)双闸装置。在电荷撷取快闪记忆体(Charge Trap Flash，CTF)单元中，这种架构可彻底消除串列记忆体串的通过扰乱(pass disturbs)。借由这种方法，可对最
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在电荷撷取快闪记忆体
In charge extraction flash memory
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