...成方法 [技术摘要] 本发明涉及在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，其主要是在已完成凸块下金属层(under bump metallurgy，UBM)的半导体组件，先借着绝缘胶膜将金属箔热压合至具有凸块下金属层的半导体组件之上，再在该凸块下金属层上形...
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连接半导体生产加工专题-半导体灯-功率半导体-边缘的半导体-半导体电路-借助半导体类资料 - 易趣品质网购 ) 在半导体连接垫上的金属凸块形成方法 [技术摘要] 本发明涉及在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，其主要是在已完成凸块下金属层(under bump metallurgy，UBM)的半导体组件，先借着绝缘胶膜将金属箔热压合至具有凸块下金属层的半导体组件之上，再在该凸块下金属层上形
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