超紫外线光刻技术是被列在国际半导体技术蓝图（International Techonology Roadmap for Semiconductor，ITRS）中作为193纳米浸润式光刻技术之后可以在2013年满足出32纳米及以下世代最有前景的技术。
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在国际半导体技术蓝图
In the International Semiconductor Technology Blueprint
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