通过氧化硅的化学气相沉积(CVD)或溅射形成第一至第三层间绝缘膜25。或者,这些层间绝缘膜可以通过使用四乙氧基硅烷(TEOS)作为源材料的CVD工艺来形成。
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在TUD-1 的合成中采用三乙醇胺(Triethanolamine, TEA)作结构导向剂,引导硅源四乙氧基硅烷(Tetraethoxysilane, TEOS)分子间逐步形 成 Si-O 键,最终形成具有三维结构和介孔孔道的 TUD-1 多孔材料。
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kg桶 中文名称:四乙氧基硅烷 中文别名:硅酸四乙酯; 硅酸乙酯 英文名称:Tetraethyl orthosilicate 分子式:C8H20O4Si 分子量:208.32 CAS号:78-10-4 物化性质: 性状 无色易燃液体,有刺激性气味。 熔点110℃ 沸点168.1℃ 凝固
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硅酸乙酯;硅酸四乙酯;亚硅酸乙酯;四乙氧基硅烷;原硅酸四乙酯;Ethyl silicate;Te……
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tetraethoxysilane
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参考来源 - 超纯多孔球形硅胶的合成与应用
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