光学技术 --深度搜 底表面改性的研究 1900年 利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅(RB-SiC)和常压烧结碳化硅(Sintered SiC,S-SiC)基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析.经过表面改性,两 ... 原始链接 相关文
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...2009年 第1期 摘要： 利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法，分别在反应烧结碳化硅(RB-SiC)和常压烧结碳化硅(Sintered SiC，S-SiC)基底材料上制备了Si改性膜层，并进行了相关性能测试和分析。
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