...L) 小 逻辑门氧化物厚度 供电电压 双门氧化 栅极直接沟道漏电流(IG) 小 逻辑门氧化物厚度 供电电压 双门氧化 反偏结漏电流(IREV) 可忽略 N/A至低电压 CMOS 不需要 动态功耗是器件工作时由于信号触发和容性负载冲放电所带来的功耗。
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反偏结漏电流
Reverse biased junction leakage current
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根据理论分析，修正了反偏pn结漏电流理论。
Leakage current theory for reverse PN junction is modified on the basis of theoretic analysis.
youdao
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