电阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化镓单晶。最早使用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，现在主要使用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。也可以用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)中本征缺陷的影响.实验结果表明,晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布.
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... semi-fixed length record 半固定长度记录 semi-insulating gallium arsenide 半绝缘砷化镓 semi-interdigitated transistor 半梳状组合型晶体管 ...
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半绝缘砷化镓单晶 semi-insulating GaAs single crystal
As recent research and productive practice showed, such conventional parameters as dislocation densiry(EPD),charge carrier concentration,mobility were not enough to evaluate the SI-GaAs material’s quality , let alone revealing the relationship between the quality of material and the performance of devices.
近些年来的科研和生产实践均表明，现行的常规参数，如位错密度、载流子浓度、迁移率等对表征半绝缘砷化镓材料的质量是不充分的，特别是不能反映材料质量与器件性能之间的关系。
参考来源 - LEC法生长SI·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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