功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。
NEC及NEC Electronics公司开发出实用水准的氮化镓(gallium nitride, GaN)制 功率晶体管 ( power transistor ),可以在电源关闭时将流通的电流遮断,实现装置(device)的安定动作.
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...同样器件接近完全关断时，器件的电流还比较大，如果器件承受的电压迅速上升，也会造成很大的关断损耗。开关损耗会导致器件的发热甚至损坏，对于功率晶体管(GTR),还可能导致器件的二次击穿。实际电力电子电路中，还常由于二极管、晶闸管等的反向恢复电流而增加电力电子器件的开通电流，由于感...
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... power accumulation assemblage 供电装备，电源箱 power autoistor 功率晶体管 power manual 输电 ...
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第5章电子控制型弧焊电源基础 ）、中频感应加热、早期的逆变器等方面。 正向击穿区 反向击穿区 熔断、烧穿区 5.1.2功率晶体管 功率晶体管（GTR，Giant Transistor）是一种双极性型大功率高反压晶体管。目前GTR的电流容量已经达到上千安培，在中小功率应用方面，GTR是
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大功率晶体管 GTR ; large power transistor ; high power transistor ; giant transistor
微功率晶体管 [电子] micropower transistor
美国功率晶体管公司 PTC
双极功率晶体管 bipolar power transistor
场效应高频功率晶体管 field-effect HF power transistor
小功率晶体管阵列 Low Power Transistor Arrays
功率晶体管开关单元 power transistor switching unit
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
特大功率晶体管 CTR
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概述了双极功率晶体管二次击穿机理。
Second breakdown mechanisms of bipolar power transistor is summarized.
介绍了对某型号高频大功率晶体管进行的失效分析。
In this paper, the failure analysis of a type of high frequency power transistor is introduced.
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。
A new device structure of silicon bipolar microwave power transistors with so called tree overlay geometry polysilicon emitter has been designed.
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