...道大学(Hokkaido University)与日本厂商Honda集团以图案化的二氧化硅薄膜为模版，利用区域选择性外延(selective-area epitaxial)技术处理化合物 半导体，共同研究出磷化铟(InP)的核壳(core-shell)结构纳米线
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利用区域选择性外延
Using regional selective epitaxy
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利用选择性部分无序技术获得了单片外延片上不同区域的多量子阱在结构与性质上的差异。
The differences in the structures and properties of multiple quantum well between different areas on a wafer were achieved using selective partial disordering.
youdao
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