强激光与粒了束 0 延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定 余稳;谭述奇;张飞;张义门;孙晓玮 分析了延迟击穿二极管（DBD，delayed breakdown diode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑，通过改变器件结构参数和物理参数（
基于4个网页-相关网页
分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。
基于2个网页-相关网页
分析了延迟击穿二极管
The delayed breakdown diode was analyzed
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动