上述缓冲层11可以使用有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束磊晶法(molecular beam epitaxy，MBE法)或卤化物化学气相磊晶法(HVPE)，在400～1100℃的温度下形成。本实施例中，上述缓冲层11使用MOCVD法形成。
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...法_Share My Documents Epitaxy, VPE)、液 相 磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)、分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy, MBE)和 有机金属化学气相沈积法 ..
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