...丁网 ser ablation)沉积设备原理 图 沉积薄膜的物理方法 分子束外延生长法( MBE ) 分子束外延生长法(Molecular Beam Epitaxy , MBE) 是一种主要用于开发Ⅲ-Ⅴ族半导体的外延生 长法。
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真空镀膜技术综述 导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜尤其是外延单晶纳米薄膜及多层结构的制备上显示出广阔前景[15]。分子束外延生长法(MolecularBeamEpitaxy，MBE)是1969年由Bell实验室的J.R.Arthur命名的。它是一种新的主要用于开发Ⅲ-Ⅴ族半导体的外
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