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分子束外延法

网络释义

  MBE

Ⅰ.分子束外延法MBE) : 在超高真空腔内,源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体解,电子束加热蒸 发等方 法,产生分子束流。

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  epitaxy method

Ge纳米点是利用分子束外延法epitaxy method)在单晶硅底板上制作的。由于硅结晶与Ge结晶的晶格常数不一样,因此会生长出数十nm的拱状Ge结晶。

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  MBE-Molecular Beam Epitaxy

(3)分子束外延法(MBE-Molecular Beam Epitaxy) 分子束外延法(MBE- 在超真空( Pa)容器内蒸发金属, 在超真空(10-6~10-9Pa)容器内蒸发金属,获得金属 分子束,并使之碰撞在基...

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短语

低温分子束外延法 LT MBE

分子束外延生长法 Molecular Beam Epitaxy ; MBE

有道翻译

分子束外延法

Molecular beam epitaxy method

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百科

分子束外延法

分子束外延是种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内,源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解,电子束加热蒸发等方法,产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后,经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。生长系统配有多种监控设备,可对生长过程中衬底温度,生长速度,膜厚等进行瞬时测量分析。对表面凹凸、起伏、原子覆盖度、黏附系数、蒸发系数及表面扩散距离等生长细节进行精确监控。由于MBE 的生长环境洁净、温度低、具有精确的原位实时监测系统、晶体完整性好、组分与厚度均匀准确,是良好的光电薄膜,半导体薄膜生长工具。

详细内容

以上来源于: 百度百科
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