...air小组采用阻抗谱的研究方法，对陶瓷样品进行了研 究，他们认为CCTO陶瓷中半导体晶粒与绝缘晶界所产生的内部阻挡层电容（IBLC） 是引起CCTO陶瓷高介电常数的重要原因【21—22】。
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毕业论文—AA′3B4O12型材料的第一性原理研究 - docin.com豆丁网 瓷样品，发现陶瓷的微观 结构对其介电常数有着密切影响。样品由半导体性的晶粒和绝缘性的晶界共同组 成，两部分形成内部阻挡层电容（InternalBarrier LayerCapacitance，IBLC），导 致电学性能不均一，该文认为IBLC效应是钛酸铜钙高介电性的重要原因。 Sung．YoonChu
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