为了有效降低晶体管阻抗，在深沟壁上 BS 区域会先注入离子以降低电阻(BS implant)。其中，项圈氧化层将电容器推至晶圆表面 下方，可有效避免水平方向电容器与晶体管之间的干扰。
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入离子以降低电阻
Ions are introduced to reduce resistance
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