左右，CMOS元件的闸极更容易因为静电放电而被打穿，尤其是当元件充电模式(Charged Device Model) 的静电放电事件发生时，因此元件充电模式的静电放电防护设计将是研究上的重点。本计画拟进行0.15 ?
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元件充电模式
Component charging mode
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