其中,纳米MOSFET的关键可靠性问题：偏压温度不稳定性(Bias Temperature Instability或BTI),便是其中之一。另外,传统Si工艺正在接近物理极限。
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此外，对于低于1纳米等效氧化物厚度(EOT)Si基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，偏压温度不稳定性(BTI)是限制器件可靠性的最关键问题之一。
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负偏压温度不稳定性 NBTI ; Negative Bias Temperature Instability
正偏压温度不稳定性 PBTI
偏压温度不稳定性
Bias temperature instability
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