超薄氧化层之漏电量测 借由电容之受压漏电(stress-induced leakage current, SILC)量测结果，比较不同厚度、不同 制程之超薄氧化层材质特性，并借此萃取超薄 氧化层之缺陷密度与分布状态。
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stress-induced leakage current
超薄氧化层之漏电量测 借由电容之受压漏电(stress-induced leakage current, SILC)量测结果，比较不同厚度、不同 制程之超薄氧化层材质特性，并借此萃取超薄 氧化层之缺陷密度与分布状态。
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