用，所以电子管无法避免体积大、成本高、不耐用、效能低的弊端，最终被采用半导体材料的晶体管取代。例如，目前被广泛使用的场效应晶体管（Field EffectTransistor，FET）通常采用半导体材料硅，其中电子从一个源极（Source）流向漏极（Drain），必须经过施加电压的栅
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用，所以电子管无法避免体积大、成本高、不耐用、效能低的弊端，最终被采用半导体材料的晶体管取代。例如，目前被广泛使用的场效应晶体管（Field EffectTransistor，FET）通常采用半导体材料硅，其中电子从一个源极（Source）流向漏极（Drain），必须经过施加电压的栅
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