...on Strained Silicon） ·在金属互联线路间，使用Low-K材料与8层铜互连 ·在晶体管自身，使用晶体管睡眠技术（Sleep transistors） a、耗尽型衬底晶体管（depleted substrate transistor，DST） 针对130nm以后工艺的门泄漏快速上升问题，SOI(Silicon on Insulat...
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使用晶体管睡眠技术
Use transistor sleep technology
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