...周边电路晶体 管的各该门极，而在该非易失性存储器区上形成至少一氮化物只读存储 器，并在该只读存储器区的该低起始电压(low Vth)元件区以及该高起始电 压(high Vth)元件区分别形成一低起始电压元件以及一高起始电压元件； 进行一第三离子植入处理，用来调整该...
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低起始电压
Low initial voltage
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