而近年来随著自旋传输引 致磁性自由层磁化向量翻转相关研发之突破，以自旋传输翻转(spin-transfer switch)为写入方 式之MRAM逐渐引起大家的注目，此一写入方式电流仅通过被选择之记忆单元，所以不会有 非被选择写入单元因导线磁场干扰而...
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以自旋传输翻转
Flip by spin transfer
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