0.09μm工艺缩小快闪存储器尺寸 ）的SanDisk公司和该州伊尔文（Irvine）的东芝美国电子元件公司合作开发了0.09μm工艺,从而使二元和多级元（Multi-level cell,MLC）NAND快闪存储器容量和竞争力提高。新的工艺将使目前0.13μm工艺产品的存储容量提高一倍,并且使产
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...的SanDisk公司和该州伊尔文（Irvine）的东芝美国电子元件公司合作开发了0.09μm工艺,从而使二元和多级元（Multi-levelcell,MLC）NAND快闪存储器容量和竞争力提高。
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