先进半导体解决方案之顶尖供应商瑞萨电子宣布，开发采用碳化矽(SiC)之萧特基阻障二极体(Schottky barrier diode, SBD) RJS6005TDPP，一般认为碳化矽材料在功率半导体装置领域具有相当大的发展潜力。
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先进半导体解决方案之顶尖供应商瑞萨电子宣布，开发采用碳化矽(SiC)之萧特基阻障二极体(Schottky barrier diode, SBD) RJS6005TDPP，一般认为碳化矽材料在功率半导体装置领域具有相当大的发展潜力。
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