...百梭萄校授佬社庞癣柜儒垛昏咸摧舒麓刀往件胁霜谗柱 II 摘 要 随著半导体制程技术的进步，为了实现缩小线宽(critical dimensions, CD)且增大晶圆尺寸，即时(in-situ)监测与控制蚀刻制程 之均匀度(uniformity)与稳定度也...
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为了实现缩小线宽
In order to achieve the reduction of line width
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