...今年9月18日，AMD在东京召开的2003年固态元件及材料国际会议上提到了他们在晶体管方面的最新研究成果，其中包括三栅极(Tri-Gate)和栅长20纳米硅晶体管(45纳米规格)，预计将在2007年步入45纳米制造工艺时代。
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...t下代平板管制器首页 > 笔记本 > 产品评测 > 其实笔记本笔记本_比拟评测 > 注释 小米手机联想Y480CES不但如此三栅极(Tri-Gdined)3-D晶体管的冲破性技术更进一步进步CPU的效能。学会 神舟笔记本评测神舟笔记本评测, 百度快照神舟K580P。
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三栅极晶体管 tri-gate transistor
采用三栅极晶体管技术 Tri-gate transistor
三栅极放大器 triple-grid amplifier
三栅极离子渗镀 tricathode plasma surface alloying processing
5月，美国芯片巨头因特尔(Intel)公司(由摩尔博士与他人共同创办)宣布了一个计划，将这种市场名为“三栅极”的晶体管技术方案商业化。
In May Intel, an American chip giant (co-founded, as it happens, by Dr Moore), announced plans to commercialise a technological fix of this sort under the marketing name "Tri-Gate".
本文通过试验论述了缩短三极电子枪阳极与栅极的间距是提高低压电子枪亮度的有效方法。
This paper describes a method which can effectively improve the brightness of the conventional triode electron gun by reducing the distance between the anode and the grid cap.
由于采用三线并绕，廉栅极绕组的圈数也是固定了，并且和上面所计算的初级圈数一致。
Since the transformer is trifilar, the turns between the screen grids are fixed and correspond to the number of primary turns already calculated.
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