模拟腕表电路采用CMOS的工艺设计完成，在MOS型集成电路中MOS（金属氧化物半导体）是最基本的组成单位。MOS型集成电路具有功耗低，抗干扰能力强和速度快的特点，是一种性能优异的集成电路。
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互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor) CMOS
沟道金属氧化物半导体(Nchannel Metal Oxide Semiconductor N) nmos ; nmosn
型槽金属氧化物半导体(V Groove Metal Oxide Semiconductor) vmos
金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor)
metal oxide semiconductor
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