在测试的过程中，元件的导通电阻定期的被监测，而且电荷帮浦电流(charge pumping current)也被 量测，由电荷帮浦电流的量测结果，可以分析元件在Si/SiO2之表面状态密度(interface state density)与
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电荷帮浦电流
Charge pump current
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