导电氧化物LANIOLT3GT薄膜的生长及铁电集成性研究 - docin.com豆丁网 O薄膜制备方法籀允 目前制备导电氧化物LNO薄膜的方法主要有：溶胶一凝胶法（Sol—Gel）、金属 有杌物亿学汽相淀积（Metalorganic chemical vapordeposition，MOCVD）、脉冲激 光沉积（Pulsed Laser deposition，eLI））、溅射法（Sputter
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...物LNO薄膜的方法主要有：溶胶一凝胶法（Sol—Gel）、金属 有杌物亿学汽相淀积（Metalorganic chemical vapordeposition，MOCVD）、脉冲激 光沉积（Pulsed Laser deposition，eLI））、溅射法（Sputter...
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化学汽相淀积 chemical vapor deposition ; CVD ; LTCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition
真空化学汽相淀积 vacuum chemical vapor deposition ; v cvd ; vacuum actinic vapor deposition
低压化学汽相淀积 LPCVD ; low pressure chemical vapor deposition ; Low Pressure
常压化学汽相淀积 atmospheric pressure chemical vapor deposition ; apcvd
化学汽相淀积膜 chemical vapor deposition film
改进的化学汽相淀积 modified chemical vapor deposition ; mcvd
高温化学汽相淀积 high temperature chemical vapor deposition
外延化学汽相淀积 epitaxial cvd
化学汽相淀积硅 cvd silicon
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