GaN:提高内量子效率,如:采用 ELOG(横向外延过生长)技术,减少外延缺陷,提高晶格质量,优 化 MQW(多量子阱)的生长质量,达到提高光强目的,改变器件结构,提高光强和光电性能(如...
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侧向外延(ELOG)也是解决衬底问题的一种途径。ELOG衬底典型的方法是用MOCVD技术在C面蓝宝石上生长厚1-2µm的GaN,再在GaN上淀积一层SiO2、MOCVD外...
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eLOG Enterprise Suite TMS 运输管理系统
eLOG Enterprise Suite WMS 仓库管理系统
eLOG Enterprise Suite BMS 计费管理系统
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