With the increase ofavalanche injection, the created electron trap of acceptor type in interface shall play a leading role.
观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。
参考来源 - PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The conception of electron trap and the process of free photoelectron trapping are introduced in detail.
详细介绍了电子陷阱的概念以及电子陷阱对自由光电子的束缚过程。
The relations between electron trap and photoelectron lifetime are given. The major reacting processes are analysed.
给出了电子陷阱深度与光电子寿命之间的对应关系，并分析了起主要作用的反应过程。
It is found that the trap effect of the sensitization centers varies from the hole trap to deep electron trap with the change of sensitization conditions.
实验发现，随增感条件的不同，增感中心发生了由空穴陷阱作用向深电子陷阱作用的转变。
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