我们发现，氧化物中的空穴俘获不能负责所有增强低剂量率的灵敏度（ELDRS）在SiO2和质子的贡献，也是必不可少的。动态界面陷阱形成中所定义的关系之间的质子迁移率（整个氧化物质子的传输时间）和所需要的...
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研究结果发现：在60Coγ射线辐照下，双极AD571不仅表现出低剂量率损伤增强(ELDRS)还表现出时间相关效应(TDE)，且在高剂量率辐照下，5V偏置条件的损伤明显大于电阻偏置，0V偏置无变化；而在低剂量率辐照下，0V偏置...
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不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究-计算机论文-论文中国 辑： 论文中国 日期： 2010年11月02日 点击数： 【中文摘要】 1991年Enlow等发现双极器件的低剂量率损伤增强效应(Enhanced Low-dose-rate Sensitivity,ELDRS),此后各国开展了这一领域的大量研究。MOS器件的剂量率效应曾被认为是时间相关效应(Time-depe
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