DRIE，全称是Deep Reactive Ion Etching，深反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺。
可以采用光刻术和蚀刻技术形成下部的多种部件(例如流体储存器、射流通道和泵)。例如，采用模具作为深反应离子蚀刻(DRIE)的蚀刻掩模以形成所述部件。还可以采用标准模制或加工技术形成下部。
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... a light beam is deflected from one optical fiber into another perpen- dicular optical fiber deep reactive ion etching (DRIE): an etching process that allows for very high-aspect-ratio etching of silicon 1 electromagnetic actuation: the movement...
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Emerging 3d interconnection technologies and high volume MEMS applications require cost effective mass production DRIE systems.
新兴的3d互联技术以及高产量的MEMS应用需要成本低廉以及高产量的深层反应离子刻蚀系统。
This accelerometer is fabricated by N type silicon wafer. To obtain high aspect ratio structure, deep reactive ion etching(DRIE) process is employed.
加速度计用普通的N型硅片制造，为了刻蚀高深宽比的结构，使用了深反应离子刻蚀（DRIE）工艺。
By optimizing DRIE parameters and RIE etching the trenches' opening, the ideal trench profile is obtained to ensure that the trenches are fully refilled without voids.
采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽，并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正，制造了具有理想侧壁形状的深槽，利于介质的完全填充，避免产生空洞。
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