纵向双扩散MOS（DMOS）l高电压p沟MOS I双极NPN和 应用上述技术制备了单块3相桥路驱动器，驱动 PNP晶体管；低电平驱动器（LLD），一个有三个p—n结四层 ...
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...具有共有浮动栅极(32)的多个MOS晶体管(24、25、26)，写入时的耦合，使用PMOS晶体管(24)；消去时的耦合，使用N型的耗尽型MOS(DMOS)(25)。
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Photo DMOS Relay 光藕合继电器
Lateral DMOS 横向DMOS
Photo DMOS Relays 光藕合继电器
High-Voltage DMOS Device 高压DMOS器件
Non-uniform Channel DMOS 非均匀沟道DMOS
lateral high-voltage DMOS 横向高压DMOS
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The semiconductor device can be a DMOS device.
所述半导体器件可以是DMOS器 件。
A threshold voltage model of DMOS by radiation induced positive spatial charge is proposed.
提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型。
The unique features of DMOS such as quasi-saturation, non-uniformly doped channel, and temperature dependencies are accurately modeled.
该物理模型考虑了高压dmos器件的准饱和特性、沟道非均匀掺杂特性和温度效应。
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