A high dense metal plasma can be produced by using cathodic vacuum arc discharge technique.
利用阴极真空弧放电技术能够产生高密度的金属等离子体。
This dynamic body discharge technique eliminates body potential mismatches of PD SOI CMOS devices, achieving repeatable low threshold voltage and fast SRAM access time.
这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题，得到了可重复性低阈值电压，提高了SRAM的读取速度。
Micro-hollow cathode discharge (MHCD) is a newly advanced micro-discharge technique based on ordinary cathode discharge in a sub-millimeter scale micro-hollow under high pressure.
微空心阴极放电(MHCD)是在普通空心阴极放电的基础上提出的一种高气压下亚毫米级微放电技术。
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