In this dissertation, the study on Device physics and verifical experiment of VDCFET were performed.
本文的工作是从VDCFET的器件物理研究和实验验证研究两方面来开展的。
参考来源 - 垂直沟道偶载场效应晶体管（VDCFET）的研究In chapter 4, layout design of the sensor and pixel structure optimization in device physics are introduced.
第四章介绍了本设计中传感器的版图设计以及各种不同传感单元结构在器件物理结构上的优化设计。
参考来源 - 256光电管阵列四象限CMOS光电传感器研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Has a good knowledge of analog circuitry, device physics and process.
模拟电路，器件和工艺有较好基础。
These two principles allow one to design many circuits without a detailed understanding of the device physics.
这两个法则使我们可以设计许多电路而无须深入了解运算放大器的内部特性。
For a given gate dielectric, device physics require maintaining the dielectric thickness in proportion to lateral dimensions (Reference 1).
对给定的门绝缘体，设备原理上需要维持绝缘体厚度与横向尺寸成比例(参考文献1)。
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