B、LIGA技术：分为同步辐射X光LIGA、紫外光LIGA(UV-LIGA)、雷射LIGA、高深度反应离子蚀刻(Deep RIE)：
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组合刻蚀工艺是采用深层反应离子刻蚀 (deep RIE)再结合EPW湿法刻蚀 (一种各向异性刻蚀技术 )。由于EPW湿法刻蚀对〈110〉面刻蚀速率较慢 ,可制作出具有光学镜面的侧壁〈110〉的硅...
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Deep-RIE 反应离子深刻蚀
deep rie
深rie
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