【deep_reactive_ion_etching】什么意思_英语deep_reactive_ion_etching的翻译_音标_读音_用法_例句_在线翻译

deep reactive ion etching

深反应离子刻蚀：深反应离子刻蚀（DRIE）是一种高各向异性刻蚀过程，用于在芯片/基片中创建深入、陡峭的孔和沟槽，通常具有高纵横比。它最初是为了微机电系统（MEMS）而开发的，这些系统需要这些特征，但也用于挖掘高密度电容器的沟槽，用于DRAM，最近还用于在先进的三维芯片级封装技术中创建通过硅通孔（TSVs）。在DRIE中，将基片放置在反应器内，并引入几种气体。在气体混合物中产生等离子体，将气体分子分解成离子。离子加速并与被刻蚀材料的表面反应，形成另一个气体元素。这被称为反应离子刻蚀的化学部分。还有一个物理部分，如果离子具有足够的能量，它们可以在没有化学反应的情况下将原子从被刻蚀材料中击出。

深层离子蚀刻技术

钻石游丝是运用DRIE深层离子蚀刻技术(Deep Reactive Ion Etching)与德国GFD公司合作研制。

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深反应离子刻蚀

...仪；悬空硅；深反应离子刻蚀 [gap=883]Keywords: Notching effect；anemometer；suspended silicon；deep reactive ion etching(DRIE) ...

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This accelerometer is fabricated by N type silicon wafer. To obtain high aspect ratio structure, deep reactive ion etching(DRIE) process is employed.

加速度计用普通的N型硅片制造，为了刻蚀高深宽比的结构，使用了深反应离子刻蚀（DRIE）工艺。

youdao

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