deep boron diffusion 高浓度硼深扩散
Traditional deep diffusion and thick epitaxy craft can be replaced by Si/Si bonding in order to realize the high breakdown voltage.
利用硅/硅键合,可代替传统的深扩散和厚外延工艺,以实现高的击穿电压。
参考来源 - 微波PIN二级管的设计与制备工艺研究·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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