DDR3内存采用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。DDR III内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。 从长远趋势来看，拥有单芯片位宽以及频率和功耗优势的DDR3是令人鼓舞的。DDR3内存在2007年已经上市，DDRIII的规格也在不断地演变。
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