本文研究了基于GaAs超晶格半导体薄膜结构的“介观压阻效应”的微位移传感器:在力学信号作用下,共振隧穿双势垒(DBRT)结构的内部应力分布发生变化;一定条件下应力变化引起内建电场的产生;内建电场将导致共振隧穿异质结中的量子能级发生变化;量子能级...
基于44个网页-相关网页
EDGE-STITDH DBRT 边线褶
DBRT diodes 双垫垒共振隧穿二极管
EDGESTITDH DBRT 边线褶
DBRT Karaoke Buthor 如何用
DBRT double-barrier resonant tunneling 双势垒谐振隧穿
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动