扩展了对应SPI总线和I2C总线的FRAM产品的数据保持（Data Retention）温度以及读写耐受性能指标，使其可以适用于以工厂自动化（FA）为主的对温度和读写耐受性要求严格的应用。
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电子标签可靠性的一个重要参数指标是数据保持能力（Data Retention）。传统的RFID芯片采用EEPROM（包括任何以浮置栅为基本结构的存储器）作为存储器件，数据保持时间一般声称为10年。
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data retention time 数据保留时间
Data Retention Test 数据保持力测试 ; 保持力测试
low power data retention 低功率数据保持
Data Retention Fault 数据保留故障
low-power data retention 低功率数据保持
Historical data retention period 历史数据保留期限
retention of data 数据存储
retention data 保留数据
soil retention data 土壤持水数据
The topic here is to improve the DRAM data retention time in 0.13um CMOS process.
本文主要研究CMOS工艺中如何提高DRAM的保持时间。
参考来源 - CMOS工艺中提高DRAM保持时间的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
Brian Dykstra and Keith Jones, 38 and 32, respectively, see data retention issues from a lot of different angles.
38岁的布莱恩·戴克斯特拉和32岁的基斯·琼斯对数据存储有很多看法。
Thus, to meet the regulatory requirements for data retention with minimum expenditure, the organizations are trying to store more amount of data at the lowest possible cost.
因此，为了能以最小的代价满足保存数据的规定要求，这些组织都试着以最低的成本保留最多的数据。
Scaling the programming voltage, while still maintaining 10 year data retention time, has been always a big challenge for Polysilicon Oxide Nitride Oxide Silicon (SONOS) researchers.
降低编程电压，同时仍保持十年的数据记忆时间，一直是多晶硅氮化硅氧化硅硅（SONOS）研究人员面临的一个巨大挑战。
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