czochralski silicon wafer
czochralski silicon wafer
克氏硅片
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The effect of rapid thermal processing (RTP) on oxygen precipitates profile and denude zone (DZ) in Czochralski (CZ) silicon wafer during simulating CMOS processing is investigated.
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。
youdao
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