1．3．1 直拉法（CZ） 直拉法（CZ）是切克劳斯基法（Czochralski method）的简称，它是在一个 坩埚中将多晶料融化，然后利用装有籽晶的提拉装置向上提拉生长单晶硅的方法， 又称提拉法，这种方法是生长单...
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前后就耗去6～8个月的时间。 蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种： 1:柴氏拉晶法(Czochralski method)，简称CZ法。先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷...
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... Czochralski pulling 用丘克拉斯基法提拉 czochralski method 切克劳斯基法 ; 提拉法 ; 单晶提拉法 ; 乔克拉尔斯基法 Czochralski process 柴氏法 ...
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liquid encapsulation Czochralski method 液体密封切克劳斯基法 ; 液体老化测试系统
magnetic field Czochralski method 磁场直拉法
double crucible Czochralski method 双坩埚提拉法
high pressure Czochralski method 高压CZ ; 高电力直接电弧炉
Czochralski Method Grower 单晶硅棒设备
modified czochralski method 熔盐提拉法
The single crystals were grown by the Czochralski method and the growth condition, atmosphere and annealing technology were investigated.
采用高温提拉法(Czochralski)生长出单晶,对晶体的生长气氛、退火工艺等进行研究。
参考来源 - 掺镱铌钒复合晶体的生长与性能研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The potassium lithium niobate (KLN) crystal has been grown by Czochralski method;
用提拉法生长出铌酸锂钾（KLN） 晶体；
This paper reported a new procedure for growth of 5 inch diameter LT crystal in Ir-crucible by using Czochralski method.
本文着重介绍了用铱坩埚提拉法生长5英寸钽酸锂（ LT） 晶体的工艺过程，该工艺使用超大尺寸铱坩埚生长LT晶体；
Silicon single crystals are produced mainly by Czochralski method (CZ) and magnetic field app-lied Czochralski method (MCZ).
多晶硅用直拉法(CZ)或磁场直拉法(mcz)拉制成单晶硅棒。
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