1．3．1 直拉法（CZ） 直拉法（CZ）是切克劳斯基法（Czochralski method）的简称，它是在一个 坩埚中将多晶料融化，然后利用装有籽晶的提拉装置向上提拉生长单晶硅的方法， 又称提拉法，这种方法是生长单...
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前后就耗去6～8个月的时间。 蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种： 1:柴氏拉晶法(Czochralski method)，简称CZ法。先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷...
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... Czochralski pulling 用丘克拉斯基法提拉 czochralski method 切克劳斯基法 ; 提拉法 ; 单晶提拉法 ; 乔克拉尔斯基法 Czochralski process 柴氏法 ...
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liquid encapsulation Czochralski method 液体密封切克劳斯基法
magnetic field Czochralski method 磁场直拉法
double crucible Czochralski method 双坩埚提拉法
high pressure Czochralski method 高压CZ
modified czochralski method 熔盐提拉法
grown by czochralski method 引上法生长
The single crystals were grown by the Czochralski method and the growth condition, atmosphere and annealing technology were investigated.
采用高温提拉法(Czochralski)生长出单晶,对晶体的生长气氛、退火工艺等进行研究。
参考来源 - 掺镱铌钒复合晶体的生长与性能研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The potassium lithium niobate (KLN) crystal has been grown by Czochralski method;
用提拉法生长出铌酸锂钾（KLN） 晶体；
This paper reported a new procedure for growth of 5 inch diameter LT crystal in Ir-crucible by using Czochralski method.
本文着重介绍了用铱坩埚提拉法生长5英寸钽酸锂（ LT） 晶体的工艺过程，该工艺使用超大尺寸铱坩埚生长LT晶体；
Silicon single crystals are produced mainly by Czochralski method (CZ) and magnetic field app-lied Czochralski method (MCZ).
多晶硅用直拉法(CZ)或磁场直拉法(mcz)拉制成单晶硅棒。
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