...有棒状和粒状两种，主如果用作制备单晶硅以及太阳能电池等生长单晶硅的工艺可分为区熔(FZ)和直拉(CZ)两种其中，直拉硅单晶(CZ-Si)广泛应用于集成电路和中小功率部件区域熔单晶(FZ-Si)目前主要用于大功率半导体部件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管...
基于28个网页-相关网页
区熔单晶硅(FZ-Si)主要用于制作电力电子器件 (SR、SCR、GTO等)、射线探测器、高压大功率晶体管等;直拉单晶硅(CZ-Si) 主要用于制作LSI,晶体管,传感器及硅光电池等。
基于20个网页-相关网页
近年来的研究表明，在直拉单晶硅(Czochralski silicon，CZ-Si)中掺氮可以用于调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同时，掺氮直拉单晶硅(NCZ-Si)中的缺陷也得到了深入的...
基于2个网页-相关网页
In this paper, oxygen precipitates and induced defects in annealed dislocation-free CZ-Si with high oxygen content have been investigated by HVEM.
本文用超高压透射电子显微镜研究退火的高氧含量无位错直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷。
Prolonging the annealing time to 20h, there was obviously distinction of speed of oxygen precipitate between the samples of irradiated and non-irradiated CZ-Si.
延长退火时间辐照样品和未辐照样品的间隙氧沉淀速度有很大的不同。
Because the quantitative analysis of oxygen can't be done by general equipment, it is still lack of systematically investigation of precipitates and induced defects in heavily doped Cz-si.
但由于重掺硅中氧浓度定量测试受到方法限制，重掺硅单晶氧沉淀及其诱生缺陷至今未得到全面而深入地研究。
应用推荐