• 铜互连线 - 引用次数：4

  Sidewalls serving as nucleation sites for （111） grain growth, （111） texture of deposited Cu interconnects is weaker comparing with the blanket films. （111） texture of the Cu interconnect after annealing at 300℃ for 30min are strengthened.

  利用XRD和EBSD测量了铜互连线的晶体学取向，沉积态铜互连线的（111）织构明显弱于沉积态铜膜；300℃、30min退火后，铜互连线 （111）织构增强；Cu晶粒明显长大和应变能最小化使得铜互连线和铜膜分别经过较高温度400℃和450℃、1h退火后，（111）织构并未发展。

  参考来源 - ULSI铜互连线微结构与应力及其对电徙动影响的研究
  铜内联 - 引用次数：1

  参考来源 - 集成电路湿法工艺的开发及其在铜内联结构的应用 Development of wet processing technique and its application for Cu interconnect in IC industry
• 铜互联 - 引用次数：1

  参考来源 - 过渡金属氮化物表面铜团聚机理的密度泛函理论研究

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