... 麟 j 结构上胜过传统 IGBT的CSTBT ER．Mott o ( 瑞士) 【摘要】采用薄穿通(LPT)垂直结构的载流子贮存挖槽栅双极型晶体管(CSTBT) 是一种新型的功率器件。与 IGBT相比，其结构得到了改进，具有功耗更低、更耐用等优点，是工业功率变流应用最佳的功率器件。
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该系列IPM采用全栅型专利的CSTBT(载流子存储式沟槽型双极晶体管)硅片技术，具有比L系列IPM更低的损耗，以及优化的VCE与Eoff折衷曲线。
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