但1．1晶体提拉法 设备条件要求高，整个工艺复杂，运行成本高，因 晶体提拉法（crystal pulling method）由J． 此未被广泛应用。
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Czochralski crystal pulling method 柴氏拉晶法
Czochralski crystal-pulling method 捷可拉斯基晶体抽引方法
crystal l pulling method 拉晶法
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In the Czochralski crystal growth process, the main method is regulating the pulling speed and heater temperature to track the target curves, in order to achieve the diameter growth of crystal.
在直拉法晶体生长过程中，主要是通过调节提拉速度和加热器温度跟踪目标曲线来实现晶体等径生长的。
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