...ASET, Fraunhofer RPI RTI Infineon ^_^ --- --- 步骤8 及9:沉积Ta 或TaN 阻障层(Barrier Layer),铜晶种层(Copper Seed Layer), 接著进行电镀铜以填充导孔(Via Filling),使用化学机械研磨(CMP)制程,去除多馀之Ta 层 及铜,此时以完成晶圆后段导线制程(Ba...
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copper seed layer
铜种层
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The method further includes electroplating copper gapfill onto the seed layer.
该方法进一步包括在该种晶层上电镀铜空隙填充。
youdao
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